是不是8个igbt可以做16级

太强了。上管驱动的电源怎么解决的?自举吗？

没错上管就是用浮置自举的，但我没用隔离电源，中间花了大量精力，以后慢慢说。
首先是理论上的设计。如果继续沿用scr或者boost关断很难有所突破，然后我看到了三水合番的半桥阵列。他在文章写到可以用20组开关控制100个线圈紧密加速，但线圈排那么密，不可避免的开启多个线圈，一组开关带好几条线？这要并多少个管子？每个线圈开多久保留多久续流？100个线圈就有200个线头，理线都让人心态爆炸。所以我抛弃了这种办法，做成常规的线圈，一次只开一个。
图中线圈选择问题真就是一个二极管的事。
用这网格就没法用分立电容而只能用并联的大电容。单电容的问题是电压越用越低加速效果就差了，但如果用特别大的容量并且不一次用完电，也弥补了这个不足甚至更优秀，使用不稳定的极限效率甚至比boost更高。
在模拟时我发现线圈开启的提前量有时甚至超过了一个线圈的长度，紧密排列的话就会无法控制，所以这次我增加了线圈间距。如果还是需要排紧一点也行可以用两三个网格交错排列，等同于增加了间距。若使用2个3*3网格和16000uf的电容，就有希望将8*20的实心销以12%的效率加速到140m/s，或是16*30以30%上二百焦，简直夸张的性能

矩阵开关的方案记得有俄罗斯人做过实物，而且在网上发过帖子，不过我不会搜索俄文内容，现在找不到了。
国内也有人做过实物，不过没公开发表过，只在qq群里说过几句，可以认为没存在过。

可以试试矩阵全桥能量回收式电磁炮

第一次设计的pcb如图，16.8*5，可以焊16个线圈。
非常的拥挤是吧？但是常规线圈做不了这么挤，而且还容易出bug，莫名其妙的短路。而且还忘了加吸收电容。目前几乎无法修复已经放弃。

igbt需要15～20v的驱动电压，驱动ic使用马克用过的ir2110。他的tk5使用了隔离电源作为上管电源，但我这并不需要，只用电容也足够。但是模拟时上电工作时浮置电压会漂比输入高5v，所以再加个稳压管来泄放。如果输入电压超过稳压管，没多久就烧了，电压选18v和20v有点纠结。目前igbt没有并管，这个输出电阻也很纠结用10r还是5.1r更好。
虽然说启动时需要先开下管来给这个电容充电，但问题不大，只需要发射时开其中一个下管就能给所有上管充电，其余的在高频工作完全不是问题。
判断稳压管坏了也很简单，正常的接线然后看电容电压，如果会自己升到10v以上就是坏了

做大做强

用很大储能的电容，一次发射电压不掉多少的话，那还不如半桥喽，只要一个悬浮地，因为电容只有一组，可以紧密加速，电容电压可以拉满到igbt电压，驱动简单，效率也高。igbt驱动电压越高越好，我建议是驱动电压22v左右，因为驱动部分还会掉2v左右电压，让igbt两端电压在20v

只用一个电容，就可以只要一个悬浮地，这样没问题吧？不管哪个管子开启，不管同时开启几个管子，都不影响电路正常工作。

为啥不更了呢？因为板子不知道哪里焊坏了，管子全都没事但就是短路心累，本来连耐压都试到一半了现在等新的板子过来，又是吸松香的一天

续更，重焊了板子，这次预留了更多排针和焊盘，并且桥臂分立，每个模块仅为8*4，虽然比之前大但是嘉立创价格才10张15元
考虑到之前不接线的情况下都能炸管，这次在g和e之间加上10k下拉电阻。默认情况能保持低电位关断。
由于关断炮真是困难得多，探索进程以后会更慢了
有趣的是，我不小心又把2路的二极管焊反一个，然后控制1路测试，结果把3路的驱动ic烧了管子却毫发无损。表现为ic自身滚烫并且LO始终高电平，换个就好了，真是奇怪
按照预定程序80v要按十次才降到5v

做好了吗